7440-21-3

生产方法1
三氯氢硅法将干燥的硅粉加入合成炉中，与通人的干燥氯化氢气体在280～330℃有氯化亚铜催化剂存在下进行氯化反应，反应气体经旋风分离除去杂质，再用氯化钙冷冻盐水将气态三氯氢硅冷凝成液体，经粗馏塔蒸馏和冷凝，除去高沸物和低沸物，再经精馏塔蒸馏和冷凝，得到精制三氯氢硅液体。纯度达到7个“9”以上、杂质含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提纯后的三氯氢硅送人不锈钢制的还原炉内，用超纯氢气作还原剂，在1050～1100℃还原成硅，并以硅芯棒为载体，沉积而得多晶硅成品。其
H2+C12→2HCl
S+3HCl→SiHC13+H2
SiHCl3+H2→Si+3HCl

生产方法2
工业生产有坩埚直拉法、悬浮区熔法、中子嬗变掺杂法。
坩埚直拉法拉晶前先将设备各部件、合金石英坩埚、硅多晶和籽晶进行清洁处理。
将硅多晶破碎除去石墨，经丙酮去油后，进行化学清洗，用无离子水洗至中性，再经超声波清洗，红外干燥，配料及掺杂，加入单晶炉的合金石英坩埚中，再经抽真空、熔化，在流通的氩气氛下，人工引晶放肩和收尾。晶体的等径生长过程中，需根据情况适当调节功率，使其获得直径均匀的产品，经检测、称量，制得硅单晶成品。
悬浮区熔法先将设备和原料清洁处理，把硅多晶切断，磨后用丙酮去油，进行化学清洗，用无离子水洗至中性，再经超声波清洗，红外干燥，配料和掺杂，装炉，抽真空或充氩气。在氩气下高频加热进行区熔提纯单晶。预热、引晶、放肩、等径、收尾等过程，由人工控制。再经检测、称量，制得硅单晶成品。